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水热法制备Mo1-XWXS2合金材料及晶体结构的研究
文献摘要：
采用水热合成法制备合金半导体材料Mo1-XWXS2(X为浓度),并应用扫描式电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和拉曼光谱仪(Raman)对其形貌和晶体结构进行表征.实验结果表明,由SEM形貌测试发现,随着掺杂浓度的增加,Mo1-XWXS2片状合金材料表面逐渐粗糙;由XRD晶体结构表征发现,随着掺杂浓度的增加,Mo1-XWXS2的晶格常数逐渐增大;在合金材料的拉曼频移中,随着掺杂浓度的增加,Mo1-XWXS2中A1g振动模发生蓝移,而E21g振动模发生红移.通过晶格结构和拉曼频移的检测和分析,证实水热合成法可制备不同浓度的Mo1-XWXS2合金半导体材料.本方法可进一步拓展为二硫族化物合金半导体材料的批量制备方法,为合金半导体器件的制作和设计提供依据.
文献关键词：
材料;水热合成法;Mo1-XWXS2合金;拉曼频移;晶格结构
中图分类号：
作者姓名：
王岩;孙恩奇;杨学弦;朱岭;陈飞台;王小云
作者机构：
吉首大学物理与机电工程学院,湖南吉首416000
文献出处：
引用格式：
[1]王岩;孙恩奇;杨学弦;朱岭;陈飞台;王小云-.水热法制备Mo1-XWXS2合金材料及晶体结构的研究)[J].光学学报,2022(04):127-132
A类：
XWXS2,E21g
B类：
水热法,Mo1,合金材料,晶体结构,水热合成法,半导体材料,扫描式,拉曼光谱,光谱仪,Raman,掺杂浓度,结构表征,征发,晶格常数,拉曼频移,A1g,蓝移,红移,晶格结构,批量制备,制备方法,半导体器件
AB值：
0.201675
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