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微量元素Ce对Sn20Bi0.7Cu1.0Ag/Cu界面层异常生长的影响
文献摘要：
研究了Ce元素对Sn20Bi0.7Cu 1.0Ag/Cu界面层组织异常生长的抑制机制.在铜基底上制备了Sn20Bi0.7Cu1.0Ag-xCe (x=0.01～0.20;％,质量分数)/Cu焊点.采用扫描电镜、金相显微镜观察了焊点界面的相组织结构、界面金属间化合物(IMC)层形貌,并测量了IMC层厚度.通过实验数据计算了IMC层的生长动力学参数.研究结果表明:随着IMC颗粒异常长大,周围β-Sn相开始析出Bi相,继而IMC颗粒周嗣Bi相富集并长大,最终IMC颗粒穿晶断裂.当Ce含量为0～0.05％时,焊点界面IMC层厚度随Ce含量增加逐渐降低,当Ce含量为0.05％～0.10％时,焊点界面IMC层厚度随Ce含量增加逐渐增加;Ce含量为0.05％时对界面IMC层生长的抑制效果最好,界面IMC层表面最平滑,界面IMC层的反应常数、扩散系数最小和临界厚度最薄,分别为1.75×10-11m·s-1,1.52×10-16 m2·s-1和7.55 μm.添加微量稀土元素Ce可以阻碍焊点界面IMC层的形成并抑制其异常长大,从而间接抑制焊点界面处Bi相的偏析与降低IMC层微裂纹的出现倾向,并改善焊点界面层形貌,使其表面变得更平滑.
文献关键词：
Ce;金属间化合物;计算;可靠性
中图分类号：
作者姓名：
顾鑫;白海龙;朱堂葵;刘宝权;严继康;易健宏
作者机构：
昆明理工大学材料科学与工程学院,云南昆明650093;云南锡业锡材有限公司,云南昆明650217;义乌工商职业技术学院机电信息学院,浙江义乌322000
文献出处：
引用格式：
[1]顾鑫;白海龙;朱堂葵;刘宝权;严继康;易健宏-.微量元素Ce对Sn20Bi0.7Cu1.0Ag/Cu界面层异常生长的影响)[J].稀有金属,2022(02):169-176
A类：
Sn20Bi0,7Cu1
B类：
微量元素,0Ag,界面层,组织异常,抑制机制,铜基,xCe,焊点,金相显微镜,界面金属间化合物,IMC,数据计算,生长动力学,动力学参数,异常长大,穿晶断裂,抑制效果,扩散系数,临界厚度,最薄,11m,稀土元素,偏析,微裂纹
AB值：
0.22793
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