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基于铌酸锂薄膜的Y波导集成调制器设计
文献摘要：
近年来,基于薄膜铌酸锂(TFLN)平台的高性能电光调制器以其小体积、低能量损耗等特点受到广泛关注.本文提出了一种新的具有垂直电极结构的Y波导铌酸锂薄膜电光调制器.研究了调制器的半波电压与缓冲层厚度之间的关系,优化了Y波导的设计参数,最后设计得到插入损耗<5 dB,半波电压<1.5 V的高性能调制器.本文不仅为基于TFLN平台的小型化波导的设计和实现提供了思路,而且为制造高性能和多功能的电光调制器提供了实验依据.
文献关键词：
电光调制器;TFLN;Y波导
中图分类号：
作者姓名：
郭宏杰;刘海锋;王振诺;谭满清;李智勇;雷明;郭文涛
作者机构：
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083;中国科学院大学材料科学与光电工程中心,北京100049;中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京100083;北京自动控制设备研究所国家重点惯性技术实验室,北京100074
文献出处：
引用格式：
[1]郭宏杰;刘海锋;王振诺;谭满清;李智勇;雷明;郭文涛-.基于铌酸锂薄膜的Y波导集成调制器设计)[J].红外与毫米波学报,2022(03):626-630
A类：
B类：
铌酸锂薄膜,波导,导集,薄膜铌酸锂,TFLN,电光调制器,小体积,低能量,能量损耗,电极结构,半波电压,缓冲层,设计参数,插入损耗,dB,小型化,设计和实现
AB值：
0.231277
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