典型文献
薄膜异质结及二维材料中的磁斯格明子
文献摘要：
磁斯格明子因具有拓扑稳定、移动速度快、尺寸小、驱动电流密度低等优异性质引起了人们的广泛关注.它被视作未来超高密度磁存储和逻辑功能器件的理想信息载体.基于磁斯格明子的自旋电子学器件具有非易失、高读写速度、高存储密度以及低功耗的优势,从而能满足人们对高性能器件的要求.此外,拓扑性与磁性的结合使得磁斯格明子成为研究拓扑磁性物理的良好平台.文章简要介绍了磁斯格明子的发展概况及其拓扑物理性质,并着重讨论薄膜异质结及二维材料中磁斯格明子的研究进展,为今后进一步探索磁斯格明子相关研究领域抛砖引玉.
文献关键词：
拓扑磁性;磁斯格明子;Dzyaloshinsky—Moriya相互作用
中图分类号：
作者姓名：
王智文;梁敬华;杨洪新
作者机构：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所 宁波 315201;中国科学院大学材料科学与光电技术学院 北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]王智文;梁敬华;杨洪新-.薄膜异质结及二维材料中的磁斯格明子)[J].物理,2022(07):465-472
A类：
磁斯格明子,拓扑磁性,Dzyaloshinsky
B类：
异质结,二维材料,移动速度,驱动电流,电流密度,优异性质,超高密度,逻辑功能,功能器件,信息载体,自旋电子学,读写,存储密度,低功耗,拓扑性,发展概况,物理性质,抛砖引玉,Moriya
AB值：
0.227316
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