典型文献
不同厚度Cr中间层对Gd/FeCo薄膜磁电阻效应转变的影响
文献摘要：
磁电阻作为表征自旋阀结构最具代表性的特征之一,是研究多层膜层间耦合作用的重要研究手段.稀土/磁性过渡金属通过耦合和界面效应诱导室温下稀土具有磁性,插入中间非磁金属层通过调控层间耦合作用实现自旋阀结构将有利于拓展稀土在自旋电子学领域的应用.通过分析具有不同Cr层厚度(tCr)的Gd(4 nm)/Cr(tCr)/FeCo(5 nm)三层膜室温下面内磁电阻效应,本文研究了薄膜的层间耦合和界面效应.研究发现,相对于FeCo薄膜,Gd/FeCo薄膜表现出更为明显的各向异性磁电阻.Cr的插入使得电流垂直于磁场时的磁电阻在低场峰值位置处出现一极小值,且这个极小值随着tCr的增加变得更加明显.当tCr=3 nm时,几乎完全表现为负自旋阀磁电阻效应.FeCo层与Cr/Gd形成的不同的自旋散射不对称是产生这一负自旋阀磁电阻效应的主要原因.电流平行于磁场时磁电阻峰值随tCr的振荡和低温下的磁滞回线证实了低温和室温下层间耦合的存在.
文献关键词：
FeCo薄膜;磁电阻;层间耦合;稀土
中图分类号：
作者姓名：
张艺玮;宋恒博;李小燕;孙丽;刘晓莹;寇朝霞;张栋;费红阳;赵志斌;翟亚
作者机构：
海南师范大学物理与电子工程学院,海口 571158;东南大学物理学院,南京 211189;聊城大学物理科学与信息工程学院,聊城 252059
文献出处：
引用格式：
[1]张艺玮;宋恒博;李小燕;孙丽;刘晓莹;寇朝霞;张栋;费红阳;赵志斌;翟亚-.不同厚度Cr中间层对Gd/FeCo薄膜磁电阻效应转变的影响)[J].物理学报,2022(21):302-310
A类：
tCr
B类：
中间层,Gd,FeCo,磁电阻效应,应转,征自,自旋阀,多层膜,膜层,层间耦合,耦合作用,研究手段,稀土,磁性,过渡金属,界面效应,金属层,自旋电子学,各向异性磁电阻,垂直于,极小值,磁滞回线
AB值：
0.191631
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