典型文献
铟砷锑红外探测器的研究进展
文献摘要：
InAs1-xSbx属于III-V族化合物半导体合金材料,随Sb组分含量的不同,室温下可覆盖3～12μm波长,并且InAsSb材料具有载流子寿命长、吸收系数大、载流子迁移率高等优点,是一种具有广阔应用前景的红外光电材料.探测器可以在150 K甚至近室温下工作,具有较高的灵敏度和探测率,是低功耗、小型化、高灵敏度和快响应中长波红外探测系统的良好选择,InAsSb中长波红外探测器受到广泛的关注和研究.本文首先简要概述了InAsSb材料的基本性质.其次,对国内外InAsSb红外探测器发展状况进行了介绍.最后,对InAsSb红外探测技术的发展进行了总结与展望.
文献关键词：
红外探测器;InAsSb;高工作温度
中图分类号：
作者姓名：
陈冬琼;杨文运;邓功荣;龚晓霞;范明国;肖婷婷;尚发兰;余瑞云
作者机构：
昆明物理研究所,云南 昆明 650223
文献出处：
引用格式：
[1]陈冬琼;杨文运;邓功荣;龚晓霞;范明国;肖婷婷;尚发兰;余瑞云-.铟砷锑红外探测器的研究进展)[J].红外技术,2022(10):1009-1017
A类：
铟砷锑,InAs1,xSbx
B类：
红外探测器,III,化合物半导体,合金材料,组分含量,InAsSb,载流子寿命,寿命长,吸收系数,载流子迁移率,光电材料,探测率,低功耗,小型化,高灵敏度,快响应,中长波红外,红外探测系统,基本性质,红外探测技术,总结与展望,高工作温度
AB值：
0.274236
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