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半导体光电阴极的研究进展
文献摘要：
半导体光电阴极具有量子效率高、暗电流小的优点,被广泛应用于光电倍增管、像增强器等各类真空光电探测和成像器件,促进了极弱光的超快探测和成像技术的发展.另外作为能够产生高品质电子束的真空电子源,用于加速器光注入器、电子显微镜等科学装置.本文首先介绍了目前常用半导体光电阴极的分类以及在真空光电探测成像、真空电子源领域的具体应用.然后对碱金属碲化物光电阴极、碱金属锑化物光电阴极、GaAs光电阴极三类典型半导体光电阴极的制备技术进行了总结,并介绍了微纳结构、低维材料、单晶外延等新技术在半导体光电阴极研制中的应用.最后对半导体光电阴极的技术发展进行了展望.
文献关键词：
光电阴极;碱金属碲化物;碱金属锑化物;GaAs
中图分类号：
作者姓名：
张益军
作者机构：
南京理工大学 电子工程与光电技术学院,江苏 南京 210094
文献出处：
引用格式：
[1]张益军-.半导体光电阴极的研究进展)[J].红外技术,2022(08):778-791
A类：
碱金属碲化物,碱金属锑化物
B类：
光电阴极,量子效率,暗电流,光电倍增管,像增强器,光电探测,弱光,超快,高品质电子束,电子源,加速器,光注入,注入器,科学装置,源领域,GaAs,制备技术,微纳结构,低维材料,单晶外延
AB值：
0.229583
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