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典型文献
复合烧结助剂对Si3N4陶瓷力学性能和热导率的影响
文献摘要:
Si3N4陶瓷因兼具优异的力学和热学性能,成为第三代半导体陶瓷基板的首选材料之一.本研究以7种不同离子半径的稀土氧化物(RE2O3,RE=Sc、Lu、Yb、Y、Gd、Nd、La)与非氧化物(MgSiN2)作复合烧结助剂,通过热压烧结和退火热处理制备了高强、高热导Si3N4陶瓷,并系统研究了复合烧结助剂中RE2O3种类对Si3N4陶瓷物相组成、微结构、力学性能和热导率的影响规律.热压后Si3N4陶瓷力学性能优越,其中添加Nd2O3-MgSiN2的样品弯曲强度达到(1115±49)MPa.退火处理后Si3N4陶瓷的热导率得到大幅提升,呈现出随稀土离子半径减小而逐渐增大的规律,其中添加Sc2O3-MgSiN2的样品退火后的热导率从54.7 W·m-1·K-1提升至80.7 W·m-1·K-1,提升了47.6%.该结果表明,相较于国际上通用的Y2O3-MgSiN2和Yb2O3-MgSiN2烧结助剂组合,Sc2O3-MgSiN2有望成为制备高强度、高热导Si3N4陶瓷的新型复合助剂.
文献关键词:
氮化硅;复合烧结助剂;退火处理;热导率
作者姓名:
付师;杨增朝;李宏华;王良;李江涛
作者机构:
中国科学院 理化技术研究所, 低温重点实验室, 北京 100190;中国科学院大学 材料与光电研究中心, 北京100049
文献出处:
引用格式:
[1]付师;杨增朝;李宏华;王良;李江涛-.复合烧结助剂对Si3N4陶瓷力学性能和热导率的影响)[J].无机材料学报,2022(09):947-953
A类:
MgSiN2
B类:
复合烧结助剂,Si3N4,热导率,热学性能,第三代半导体,陶瓷基板,选材,同离子,离子半径,稀土氧化物,RE2O3,Lu,Gd,La,非氧化物,热压烧结,退火热处理,高热,物相组成,性能优越,Nd2O3,弯曲强度,退火处理,稀土离子,Sc2O3,Y2O3,Yb2O3,氮化硅
AB值:
0.279635
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