典型文献
半导体脉冲功率开关器件综述
文献摘要：
该文对应用于脉冲功率领域的特种半导体开关器件进行综述,具体包括反向开关晶体管(reversely switched dynistor,RSD)、漂移阶跃恢复二极管(drift step recovery diode,DSRD)和快速离化晶体管(fast ionization dynistor,FID).上述半导体开关器件从时间尺度上分别对应微秒级、纳秒级和皮秒级,研制材料包括硅基(Si)和碳化硅基(SiC).该文介绍相关器件的工作机理、关键技术和应用情况,以及部分研究进展,并对未来的发展趋势进行展望.
文献关键词：
半导体开关;脉冲功率;反向开关晶体管;漂移阶跃恢复二极管;快速离化晶体管
中图分类号：
作者姓名：
梁琳;颜小雪;黄鑫远;卿正恒;杨泽伟;尚海
作者机构：
强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学电气与电子工程学院),湖北省 武汉市 430074
文献出处：
引用格式：
[1]梁琳;颜小雪;黄鑫远;卿正恒;杨泽伟;尚海-.半导体脉冲功率开关器件综述)[J].中国电机工程学报,2022(23):8631-8651,中插19
A类：
反向开关晶体管,dynistor,漂移阶跃恢复二极管,DSRD,快速离化晶体管
B类：
脉冲功率,率领,特种,半导体开关,reversely,switched,RSD,drift,step,recovery,diode,fast,ionization,FID,时间尺度,微秒,纳秒级,皮秒级,制材,硅基,碳化硅,SiC,相关器,工作机理,技术和应用
AB值：
0.298402
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
