典型文献
基于可靠性试验的InSb红外探测器失效机理研究
文献摘要：
对于芯片加速寿命可靠性试验来说,温度是其中最重要的一环.首先,立足于芯片可靠性试验中温度的变化,探究高温烘烤对InSb红外探测器芯片光电性能的影响;然后对盲元的类型进行了分类,并总结出了像元损伤的可能原因;最后利用有限元分析软件对探测器结构进行了热应力仿真和分析,进一步明确了芯片碎裂的机理.由仿真结果可知,芯片中心位置受力较大,其值在680 MPa左右,这与InSb探测器中心位置易发生疲劳失效现象相吻合.提供了一种研究InSb探测器失效机理的新思路,对于高性能InSb红外探测器的研制具有一定的实际指导意义.
文献关键词：
温度变化;InSb;光伏探测器;应力
中图分类号：
作者姓名：
张伟婷;宁提;李忠贺;李春领
作者机构：
华北光电技术研究所,北京100015
文献出处：
引用格式：
[1]张伟婷;宁提;李忠贺;李春领-.基于可靠性试验的InSb红外探测器失效机理研究)[J].红外,2022(07):15-20
A类：
光伏探测器
B类：
可靠性试验,InSb,红外探测器,失效机理,加速寿命,高温烘烤,光电性能,可能原因,有限元分析软件,热应力,碎裂,中心位置,疲劳失效,相吻合
AB值：
0.217297
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
