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铌酸锂薄膜调制器的研究进展
文献摘要：
铌酸锂薄膜调制器具有体积小、带宽高、半波电压低的优点,在光纤通讯和光纤传感领域具有重要应用价值,是近年来的研究热点.本文梳理了铌酸锂薄膜调制器的波导结构、耦合结构、电极结构的研究进展,总结了LN薄膜波导的制备工艺,并深入分析了不同结构调制器的性能.基于SOI和LNOI结构,薄膜调制器实现了VπL<2 V?cm,双锥形耦合方案实现了耦合损耗<0.5 dB/facet,行波电极结构实现了调制带宽>100 GHz.铌酸锂薄膜调制器的性能在大多数方面优于目前商用铌酸锂调制器,随着波导工艺进一步提升,将成为铌酸锂调制器的热门方案.最后对铌酸锂薄膜调制器的发展趋势和应用前景进行了展望.
文献关键词：
铌酸锂薄膜;LNOI;电光调制器
中图分类号：
作者姓名：
刘海锋;郭宏杰;谭满清;李智勇
作者机构：
中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室,北京 100083;中国科学院大学 材料科学与光电技术学院,北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]刘海锋;郭宏杰;谭满清;李智勇-.铌酸锂薄膜调制器的研究进展)[J].中国光学,2022(01):1-13
A类：
行波电极
B类：
铌酸锂薄膜,体积小,半波电压,压低,光纤通讯,光纤传感,重要应用,波导结构,耦合结构,电极结构,制备工艺,SOI,LNOI,双锥,锥形,dB,facet,调制带宽,GHz,商用,电光调制器
AB值：
0.259053
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