典型文献
基于银掺杂法的碲化钨磁阻材料制备及磁阻性能研究
文献摘要：
碲化钨磁阻材料具有优良的非饱和磁电阻效应,基于碲化钨磁阻材料的信息存储技术和磁传感器制造技术,代表了磁阻研究的重要方向.通过掺杂的方法可以改变材料的磁、电学性能,为了探究碲化钨(WTe2)能否通过银(Ag)掺杂法得到优异性能,详细介绍了如何选择掺杂方法,以及为何选择银作为掺杂元素.建立了一种温和制备大块体掺银碲化钨(WTe2/Ag)磁阻材料的方法,即新型的自助熔剂烧结法,制备了三种不同Ag掺杂量的WTe2/Ag典型材料,对其物相、价态、结构进行表征与评价,并对磁阻性能进行测试分析.研究结果表明:选择银掺杂法具有优异性,制备所得的WTe2/Ag材料不仅质量可靠,而且有效提升了磁电阻效应,使得磁电阻在测试最高值时的控制条件更易实现.测试得到的磁电阻在5 K、14 T时为502.3％,相比未掺杂时提高了 50％,相比掺杂其他元素其磁电性能有极大提升,对电磁学器件的优化设计及实际应用具有积极的意义.
文献关键词：
碲化钨;银掺杂法;自助熔剂烧结法;磁电阻效应;磁阻材料
中图分类号：
作者姓名：
曹明星;武彤;徐定华;贺建
作者机构：
中国计量科学研究院,北京100029
文献出处：
引用格式：
[1]曹明星;武彤;徐定华;贺建-.基于银掺杂法的碲化钨磁阻材料制备及磁阻性能研究)[J].计量科学与技术,2022(08):50-56
A类：
银掺杂法,磁阻材料,选择掺杂,自助熔剂烧结法
B类：
碲化钨,材料制备,非饱和,磁电阻效应,信息存储技术,磁传感器,制造技术,电学性能,WTe2,Ag,优异性能,掺杂元素,大块,块体,典型材料,价态,测试分析,最高值,控制条件,试得,电性能,电磁学
AB值：
0.178963
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