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浅述二碘硅烷的合成研究进展
文献摘要：
在大规模集成电路制程中,二碘硅烷作为硅前驱体可以在众多基材上进行气相沉积,被列为从10 nm线宽跨越到6 nm线宽制程的关键硅源物质.对二碘硅烷的制备和纯化方法进行归纳和总结,为国内高纯二碘硅烷的研发和生产提供参考,促进国内硅源前驱体的发展.
文献关键词：
二碘硅烷;性质;合成
中图分类号：
作者姓名：
王维佳;杨振建;张杰;舒冬永;王新鹏
作者机构：
绿菱电子材料(天津)有限公司,天津301714;天津绿菱气体有限公司,天津300457
文献出处：
引用格式：
[1]王维佳;杨振建;张杰;舒冬永;王新鹏-.浅述二碘硅烷的合成研究进展)[J].低温与特气,2022(06):13-15,46
A类：
二碘硅烷
B类：
合成研究,大规模集成电路,路制,制程,前驱体,基材,行气,气相沉积,线宽,硅源,纯化方法,归纳和总结,高纯
AB值：
0.306692
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