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二维过渡金属硫族化合物缺陷工程
文献摘要：
二维过渡金属硫族化合物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,TMDs)具有厚度在原子级别、禁带宽度随层数在1～2 eV内变化、高载流子迁移率(如MoS2载流子迁移率达到了 200 cm2·V-1·s-1)等特点,在光学、电学等领域具有广泛应用.TMDs的超薄特性使此类材料与块体材料相比,更容易受到缺陷调控的影响,改变材料原有性能.在本综述中,首先介绍了TMDs的晶体结构和相结构,并根据维度特征对缺陷的类型进行了分类;接着从缺陷的抑制和修复,以及缺陷的制造两方面出发,总结了缺陷调控TMDs材料性能的最新研究进展;在此基础上,介绍了缺陷工程在电学、光学、磁学、电催化等领域的具体应用;最后,本综述讨论了缺陷工程在应用过程中面临的实际问题,并对其未来的研究及发展方向进行了展望.
文献关键词：
二维过渡金属硫族化合物;缺陷工程;缺陷调控
中图分类号：
作者姓名：
李景涛;马洋;李绍先;何业鸣;张永哲
作者机构：
北京工业大学材料与制造学部,北京 100124;新型功能材料教育部重点实验室,北京 100124;北京工业大学信息学部,北京 100124;台北科技大学材料科学与工程研究所,台北 10608
文献出处：
引用格式：
[1]李景涛;马洋;李绍先;何业鸣;张永哲-.二维过渡金属硫族化合物缺陷工程)[J].无机化学学报,2022(06):993-1015
A类：
B类：
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AB值：
0.344607
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