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利用变温霍尔效应计算N型Ge的杂质电离能和禁带宽度
文献摘要：
通过变温霍尔效应实验,在77～420 K温度范围内对N型Ge标准样品的电学特性进行测量.根据对高温本征导电区斜率的计算,得到样品禁带宽度Eg;对低温杂质电离区斜率的计算,得到样品杂质电离能Ei.对计算结果进行比较,lg(niT-3/2)-T-1及lg(|R|T3/2)-T-1曲线更适合用于计算禁带宽度;降温的lg(σ/T)-T-1曲线更适合用于计算杂质电离能.
文献关键词：
变温霍尔效应;禁带宽度;杂质电离能;N型Ge半导体
中图分类号：
作者姓名：
郑梓涵;黄之豪;符斯列
作者机构：
华南师范大学 物理与电信工程学院 物理学科基础课程国家级实验教学示范中心,广东 广州 510003
文献出处：
引用格式：
[1]郑梓涵;黄之豪;符斯列-.利用变温霍尔效应计算N型Ge的杂质电离能和禁带宽度)[J].物理实验,2022(05):10-15
A类：
变温霍尔效应,杂质电离能,niT
B类：
应计,Ge,禁带宽度,效应实验,标准样品,电学特性,Eg,离区,Ei,lg
AB值：
0.158782
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