典型文献
一种具有自适应优化电源抑制比的低静态电流无片外电容LDO
文献摘要：
为改善无片外电容LDO(Capacitor-Less Low-DropOut regulator,CL-LDO)的电源抑制比(Power Supply Rejection,PSR),本文提出一种低静态电流PSR自适应优化方案.采用push-pull放大器,避免复杂的频率补偿电路与片外大电容,缩小了面积.为优化中频段PSR,在功率管栅极注入一个与频率相关的补偿电流.采用低静态电流的补偿电流动态调整方案,减小压差和负载电流变化对PSR优化效果的影响.该LDO基于0.11μm CMOS工艺,芯片面积为0.026 mm2.测试结果表明,在0.1～80 mA负载电流下,静态电流最大值为55μA.在8 kHz到1 MHz频率范围内,在不同压差和负载电流下,PSR最大优化值为21～37 dB.
文献关键词：
无片外电容低压差线性稳压器;电源抑制比;可适应电源噪声消除;低静态电流;频率补偿
中图分类号：
作者姓名：
徐叶;张培勇;李豪;黄开天
作者机构：
浙江大学超大规模集成电路研究所,浙江杭州310027;南方电网科学研究院有限责任公司信息安全中心,广东广州510663
文献出处：
引用格式：
[1]徐叶;张培勇;李豪;黄开天-.一种具有自适应优化电源抑制比的低静态电流无片外电容LDO)[J].电子学报,2022(07):1674-1683
A类：
低静态电流,DropOut,可适应电源噪声消除
B类：
自适应优化,电源抑制比,LDO,Capacitor,Less,Low,regulator,CL,Power,Supply,Rejection,PSR,push,pull,放大器,免复,频率补偿,中频段,功率管,栅极,率相关,补偿电流,调整方案,负载电流,电流变化,优化效果,CMOS,mm2,mA,流下,kHz,MHz,dB,无片外电容低压差线性稳压器
AB值：
0.306758
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