典型文献
一种采用65 nm CMOS工艺28 GHz高能效Doherty功率放大器
文献摘要：
为适应当前5 G通信芯片趋于高效率化的发展趋势,介绍了一种28 GHz线性度好、效率高的Doherty功率放大器的设计.该功率放大器采用了 65 nm CMOS工艺中的双堆叠器件来实现,通过设置不同的栅极偏置电压VG1和VG2,控制Main PA作为的主功放和Vpeak PA作为辅功放的打开与关闭,输入匹配采用LC集总元件进行匹配,输出功率合成器改进了集总网络来匹配所需的输出负载,大大降低了损耗.与传输线设计相比,优化后的功率合成器具有较好的集成度,面积也有所减小.测试结果表明,该Doherty功率放大器的输出饱和功率(Psat)为25.2 dBm,增益为14.3 dB,1 dB压缩点(P1 dB)为20.1 dBm,峰值功率附加效率(PAE)为35.8％.与经典的B类功率放大器相比,该功率放大器的峰值PAE和线性度都有所提高.这对毫米波无线通信的应用具有重要意义.
文献关键词：
Doherty;功率放大器;功率合成器;集总网络;线性度;功率附加效率
中图分类号：
作者姓名：
任建;郭国发;陈华翰;郑艳娜
作者机构：
沈阳工业大学信息科学与工程学院 沈阳110870;合肥工业大学微电子学院 合肥230009;合肥工业大学物理学院 合肥230009
文献出处：
引用格式：
[1]任建;郭国发;陈华翰;郑艳娜-.一种采用65 nm CMOS工艺28 GHz高能效Doherty功率放大器)[J].国外电子测量技术,2022(01):153-157
A类：
VG1,VG2,集总网络,Psat
B类：
CMOS,GHz,高能效,Doherty,功率放大器,效率化,线性度,双堆,堆叠,栅极偏置,偏置电压,Main,功放,Vpeak,配采,LC,集总元件,输出功率,功率合成器,大大降低,传输线,集成度,dBm,P1,峰值功率,功率附加效率,PAE,毫米波,无线通信
AB值：
0.268743
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