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深紫外LED的外延技术进展
文献摘要：
深紫外LED(UVC LED)是新型紫外线光源,可应用于病毒消杀、工业、通信等领域.近年来,AlGaN基UVC LED的外延技术取得了显著的发展,器件性能不断提升,展现出了良好的应用前景.本文综述了 UVC LED外延技术的研究进展,主要介绍衬底、外延工艺与外延结构对UVC LED光电性能的影响.
文献关键词：
深紫外;LED;AlGaN;外延;量子阱
中图分类号：
作者姓名：
杨浩;杨鸿志;高涛;郭伟杰;覃国恒
作者机构：
厦门大学国家集成电路产教融合创新平台,厦门大学电子科学与技术学院,福建厦门361005;开发晶照明(厦门)有限公司,福建厦门361115;厦门通士达照明有限公司,福建厦门361199
文献出处：
引用格式：
[1]杨浩;杨鸿志;高涛;郭伟杰;覃国恒-.深紫外LED的外延技术进展)[J].中国照明电器,2022(07):1-5
A类：
B类：
深紫外,LED,技术进展,UVC,紫外线,线光源,病毒消杀,AlGaN,器件性能,衬底,外延工艺,光电性能,量子阱
AB值：
0.355667
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