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基于MOSFET的串联谐振双有源桥死区振荡机理分析及抑制
文献摘要：
基于MOSFET的串联谐振双有源桥(DAB)变换器可同时实现所有功率器件的零电压开通(ZVS)和零电流关断(ZCS),具有效率高的优点,被广泛应用于电力电子变压器(PET)隔离DC-DC环节.然而,在采用隔离变压器的DAB中,由于MOSFET寄生电容的存在,在死区时间内器件寄生电容与隔离变压器漏感会产生高频振荡,增加了通态损耗.该文建立死区时间内串联谐振DAB的等效电路,分析死区时间内高频振荡电流幅值与关断时刻电流的数学关系.为抑制高频振荡,提出基于开关频率微调的振荡抑制方法.实验结果表明了理论分析的正确性和高频振荡抑制方法的有效性.
文献关键词：
串联谐振双有源桥;MOSFET寄生电容;励磁电流;死区高频振荡;高频振荡抑制
中图分类号：
作者姓名：
胡钰杰;李子欣;赵聪;罗龙;李耀华
作者机构：
中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室(中国科学院电工研究所) 北京 100190;中国科学院大学 北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]胡钰杰;李子欣;赵聪;罗龙;李耀华-.基于MOSFET的串联谐振双有源桥死区振荡机理分析及抑制)[J].电工技术学报,2022(10):2549-2558
A类：
串联谐振双有源桥,死区高频振荡
B类：
MOSFET,振荡机理,机理分析,DAB,变换器,有功,功率器件,零电压开通,ZVS,零电流关断,ZCS,电力电子变压器,PET,DC,隔离变压,寄生电容,死区时间,漏感,通态损耗,等效电路,振荡电流,电流幅值,开关频率,微调,抑制方法,高频振荡抑制,励磁电流
AB值：
0.263541
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