典型文献
基于漏电流补偿技术的超低漏电模拟开关
文献摘要：
为满足各种现代设备控制系统的超高精度信号采集需求,基于新型PN结漏电补偿技术设计了一种超低漏电模拟开关电路.该电路在传统CMOS模拟开关的基础上创新性地引入了新型全温区PN漏电采样和补偿电路,对CMOS模拟开关输入、输出漏电流进行全温区漏电补偿,大幅降低了输入、输出端口漏电流,实现亚纳安级端口漏电流.基于40 V高压CMOS工艺进行电路设计和仿真验证,实测结果显示,在-55～125℃,输入、输出端口漏电流不大于0.75 nA,温漂约为6pA/℃.
文献关键词：
模拟开关;CMOS;漏电流补偿技术;信号采集系统;PN结漏电
中图分类号：
作者姓名：
唐毓尚;王瑶;刘俊;李平
作者机构：
贵州振华风光半导体股份有限公司,贵阳 550018
文献出处：
引用格式：
[1]唐毓尚;王瑶;刘俊;李平-.基于漏电流补偿技术的超低漏电模拟开关)[J].电子与封装,2022(12):63-66
A类：
漏电流补偿技术,6pA
B类：
模拟开关,设备控制,超高精度,PN,技术设计,开关电路,CMOS,温区,流进,输出端,端口,亚纳,电路设计,仿真验证,实测结果,nA,温漂,信号采集系统
AB值：
0.231102
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