典型文献
半导体制程前沿技术与新型晶体管结构
文献摘要：
随着半导体制程技术的进步,晶体管尺寸越来越小.目前,世界成熟主流的半导体制程从0.35μm发展到4nm,半导体制程达到4nm后,想要继续发展遇到了很多的困难,因此需要开发新型的半导体晶体管结构,以满足更先进的半导体制程工艺的发展需要.因而提出了全环绕栅极(Gate-all-around,GAA)、Forksheet结构、CFET结构这三种结构,为未来更先进的半导体3nm/2nm/1nm制程技术的发展提供了选择.
文献关键词：
半导体制程;全环绕栅极;Forksheet结构;CFET结构
中图分类号：
作者姓名：
沈志春;夏玥;张清贵;刘心舸;吴欣延
作者机构：
珠海晶通科技有限公司,广东,珠海,519000
文献出处：
引用格式：
[1]沈志春;夏玥;张清贵;刘心舸;吴欣延-.半导体制程前沿技术与新型晶体管结构)[J].电子元器件与信息技术,2022(05):13-16
A类：
半导体制程,全环绕栅极,Forksheet
B类：
前沿技术,晶体管,4nm,开发新,半导体晶体,Gate,all,around,GAA,CFET,3nm,2nm,1nm
AB值：
0.232901
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