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1064 nm连续激光辐照硅基PIN探测器输出电流恢复时间的实验研究
文献摘要：
光电探测器是激光及其应用系统中非常重要的一部分,当硅基PIN光电探测器受到激光辐照时,光电探测器的光电性能下降,其造成的损伤效果可以采用光电探测器的电学性能表征.对此,开展1064 nm连续激光辐照硅基PIN探测器输出电流恢复时间的实验研究,搭建相应的实验系统,选择合适的激光参数辐照硅基PIN光电探测器,监测其输出电流恢复时间的变化规律,得出输出电流恢复时间的影响机理.结果表明:随着激光功率密度的增加,硅基PIN光电探测器输出电流的恢复时间也随之增加.外置偏压对输出电流的恢复时间没有影响.
文献关键词：
1064 nm连续激光;PIN光电探测器;输出电流;恢复时间
中图分类号：
作者姓名：
梁超;魏智;金光勇;王頔;麻健雄
作者机构：
长春理工大学 物理学院,长春 130022
文献出处：
引用格式：
[1]梁超;魏智;金光勇;王頔;麻健雄-.1064 nm连续激光辐照硅基PIN探测器输出电流恢复时间的实验研究)[J].长春理工大学学报（自然科学版）,2022(04):7-11
A类：
B类：
连续激光,激光辐照,硅基,PIN,输出电流,恢复时间,光电探测器,应用系统,光电性能,性能下降,损伤效果,电学性能,性能表征,实验系统,激光参数,激光功率密度,外置,偏压
AB值：
0.185786
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