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C3N带隙调控的第一性原理研究
文献摘要：
采用基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)的第一性原理计算,研究了堆垛方式、层数及外加电场对C3N的带隙调控.考察了 AA-1型、AA-2型、AB-1型和AB-2型这4种堆垛结构,计算表明,AB-2型堆垛结构能量最为有利.通过HSE06杂化泛函对带隙进行了精确计算,发现AA型堆垛与AB型堆垛的双层C3N存在较大的带隙差异,AA型堆垛结构的带隙要明显小于AB型堆垛结构.此外,还发现C3N的带隙可由单层的1.21 eV调控到体相的0.69 eV;通过施加外加垂直电场,可以将具有AB-2型堆垛结构的双层、三层和四层C3N半导体调控为趋于零带隙的金属.
文献关键词：
第一性原理计算;C3N;堆垛;带隙调控
中图分类号：
作者姓名：
赵威;袁清红
作者机构：
华东师范大学精密光谱科学与技术国家重点实验室,上海 200241
文献出处：
引用格式：
[1]赵威;袁清红-.C3N带隙调控的第一性原理研究)[J].华东师范大学学报（自然科学版）,2022(04):114-119
A类：
B类：
C3N,带隙调控,第一性原理研究,基于密度,密度泛函理论,Density,Functional,Theory,DFT,第一性原理计算,堆垛方式,层数,外加电场,AA,AB,HSE06,eV,垂直电场,四层
AB值：
0.284679
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