典型文献
用于芯片电容精确测量的在片开路方法研究
文献摘要：
为实现芯片电容参数测量过程中的有效开路,提高在片电容测量的准确性及一致性,针对在片电容开路方法开展了研究工作.通过对标准电容器及开路器原理结构进行分析,结合半导体芯片工艺测试实际需求,设计并制作了在片开路器.在完成在片电容测试系统搭建基础上,分别利用传统悬空开路法和在片开路法对1 pF量值的在片电容进行了测量.实验数据显示,同悬空开路法相比,在片开路法电容测量结果的准确性及一致性有显著提升,测量重复性可达0.01％,为芯片电容计量测试工作提供了有效开路手段.
文献关键词：
计量学;片上电容测量;开路器;标准电容;芯片测试
中图分类号：
作者姓名：
李灏;乔玉娥;丁晨;丁立强;刘霞美;吴爱华
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051
文献出处：
引用格式：
[1]李灏;乔玉娥;丁晨;丁立强;刘霞美;吴爱华-.用于芯片电容精确测量的在片开路方法研究)[J].计量学报,2022(05):657-661
A类：
片上电容测量
B类：
精确测量,参数测量,标准电容,电容器,开路器,半导体芯片,测试系统,系统搭建,悬空,pF,测量重复性,计量测试,测试工作,芯片测试
AB值：
0.28218
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