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几何结构对电流驱动纳米带内磁斯格明子移动特性的影响
文献摘要：
研发新一代自旋电子器件要求精确操控纳米带内磁斯格明子的移动.磁斯格明子存在横向移动且移动速度慢是影响新一代自旋电子器件开发应用的主要因素.基于微磁学模拟研究了不同结构纳米带中磁斯格明子在电流驱动作用下的移动特性.电流驱动纳米带内磁斯格明子移动过程中存在横向移动,因此存在最大的注入电流Jmax和最大移动速度Vmax.在矩形纳米带内,Jmax和Vmax相对较小.通过裁剪矩形纳米带中央形成凹槽纳米带,Jmax和Vmax可显著提高,但反映驱动效率的速度Vx与注入电流J的比值(Vx/J)不大.提出利用裁剪纳米带边缘形成引导型纳米带来增大Vx/J.相对于矩形纳米带,电流驱动的引导纳米带中磁斯格明子移动时,Vx/J显著增大,且在一定程度上增大了Jmax和Vmax.电流驱动纳米带中磁斯格明子移动的最优方案是集合了引导和凹槽纳米带优势的组合纳米带,可获得更大的电流驱动效率、更大的移动速度.这些研究结果可为开发设计新一代自旋电子器件提供理论依据.
文献关键词：
磁斯格明子;纳米带;微磁学模拟;自旋极化电流;自旋电子器件
中图分类号：
作者姓名：
张光富;谭伟石;张赛文;文兵
作者机构：
湖南城市学院信息与电子工程学院,湖南 益阳413000;全固态储能材料与器件湖南省重点实验室,湖南 益阳413000
文献出处：
引用格式：
[1]张光富;谭伟石;张赛文;文兵-.几何结构对电流驱动纳米带内磁斯格明子移动特性的影响)[J].材料导报,2022(12):39-43
A类：
磁斯格明子,自旋极化电流
B类：
几何结构,纳米带,自旋电子器件,操控,移动速度,速度慢,开发应用,微磁学模拟,驱动作用,Jmax,Vmax,裁剪,凹槽,驱动效率,Vx,导纳,最优方案,开发设计
AB值：
0.13108
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