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典型文献
叠层芯片粘接强度与剪切强度试验研究
文献摘要:
为解决芯片粘接强度与剪切强度试验在微电子器件可靠性考核中选用不清晰的问题,文中对国内外相关试验标准进行对比分析,并总结两种试验的方法及试验载荷曲线的相关性规律.结果表明,芯片粘接强度试验与芯片剪切强度试验的载荷比值随着芯片粘接区域面积的增大,呈现先增大、后减小、再增大的趋势,最小比值为1.07,最大比值达到5.93.然后,通过对比试验及有限元仿真方法,对大、小两款叠层芯片分别进行粘接强度试验、剪切强度试验及有限元仿真,研究其试验过程中的最大应力状态.得出对于小面积芯片,建议使用剪切强度试验进行考核;对于大面积芯片,建议使用粘接强度试验进行考核.
文献关键词:
叠层芯片;粘接强度;剪切强度;粘接面积;载荷曲线;有限元分析;对比验证
作者姓名:
王世楠;万永康;闫辰侃;张凯虹;虞勇坚
作者机构:
中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏 无锡 214000
文献出处:
引用格式:
[1]王世楠;万永康;闫辰侃;张凯虹;虞勇坚-.叠层芯片粘接强度与剪切强度试验研究)[J].现代电子技术,2022(18):7-10
A类:
叠层芯片,芯片剪切强度,粘接面积
B类:
芯片粘接,粘接强度,强度试验,微电子器件,试验标准,载荷曲线,载荷比,粘接区,区域面积,大比,有限元仿真,仿真方法,两款,试验过程,最大应力,应力状态,小面积,对比验证
AB值:
0.212625
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