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硫化锑同质结薄膜太阳电池设计与缺陷分析
文献摘要：
硫化锑(Sb2S3)薄膜具有n型和p型两种导电类型.利用wxAMPS对具有不同电子传输层和空穴传输层的Sb3S3同质结太阳电池进行了设计和缺陷分析.提出了由glass/FTO/ZnS/(n)Sb2S3/(p)Sb3S3/Spiro-OMeTAD/Au构成的器件结构.在Sb2S3同质结太阳电池中形成的内建电场增加了能带的弯曲程度,从而导致了开路电压的增加.(p)Sb2S3中缺陷对器件性能的影响比(n)Sb2S3中的缺陷对器件性能的影响更大,而在ZnS/(n)Sb2S3界面和(p)Sb2S3/Spiro-OMeTAD界面处的缺陷对器件性能有同样重要的影响.当(n)Sb2S3和(p)Sb2S3中的缺陷密度都为1015cm-3,且ZnS/(n)Sb3S3界面处和(p)Sb2S3/Spiro-OMeTAD界面处的缺陷密度都为109cm-2时,太阳电池的效率能够达到 23.96％.模拟结果表明,基于Sb2S3同质结的器件设计是实现高效太阳电池的有效结构.
文献关键词：
薄膜;硫化锑;同质结;薄膜太阳电池;wxAMPS;缺陷
中图分类号：
作者姓名：
肖友鹏;王怀平
作者机构：
东华理工大学核技术应用教育部工程研究中心,江西南昌330013
文献出处：
引用格式：
[1]肖友鹏;王怀平-.硫化锑同质结薄膜太阳电池设计与缺陷分析)[J].光学学报,2022(23):229-236
A类：
Sb3S3,1015cm,109cm
B类：
硫化锑,同质结,薄膜太阳电池,缺陷分析,Sb2S3,wxAMPS,电子传输层,空穴传输层,glass,FTO,ZnS,Spiro,OMeTAD,Au,器件结构,内建电场,弯曲程度,开路电压,器件性能,缺陷密度,器件设计
AB值：
0.233465
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