典型文献
宽频率范围的单子带压控振荡器设计
文献摘要：
基于TSMC 180 nm CMOS工艺,提出了一种振荡频率为2～3 GHz的宽频率范围、低相位噪声的单子带压控振荡器(VCO).采用双平衡吉尔伯特混频结构,将单子带5～6 GHz压控振荡器与固定频率3 GHz压控振荡器进行下混频,可得到振荡频率为2～3 GHz的单子带压控振荡器,实现相对带宽从18.18％到40％的展宽.其中5～6 GHz单子带压控振荡器采用互补交叉耦合结构,更易达到起振条件,采用两组可变电容的并联形式以提高调谐曲线的线性度,拓宽压控振荡器的输出频率调谐范围.通过芯片测试验证,在1.8 V电源电压下,调谐电压变化范围为0.6～2.8 V时,实际输出频率范围为1.85～3 GHz,最大调谐灵敏度为1000 MHz/V,2 GHz频点处相位噪声为-123.2 dBc/Hz@1 MHz,芯片尺寸为1.2 mm×0.7 mm.
文献关键词：
压控振荡器;低相位噪声;宽调谐范围;锁相环
中图分类号：
作者姓名：
张博;蔡林钰;吴昊谦
作者机构：
西安邮电大学 电子工程学院,陕西 西安 710121
文献出处：
引用格式：
[1]张博;蔡林钰;吴昊谦-.宽频率范围的单子带压控振荡器设计)[J].电子元件与材料,2022(02):200-205
A类：
B类：
宽频率范围,单子,带压,压控振荡器,TSMC,CMOS,振荡频率,GHz,低相位噪声,VCO,吉尔伯特,特混,混频,固定频率,相对带宽,展宽,补交,交叉耦合结构,可变电容,并联形式,高调,线性度,频率调谐,芯片测试,测试验证,电源电压,电压变化,变化范围,大调,MHz,频点,dBc,芯片尺寸,宽调谐范围,锁相环
AB值：
0.355262
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