典型文献
基于单边带时间调制的CMOS有源移相器设计
文献摘要：
为满足低成本相控阵对高精度波束扫描的需求,提出了一种基于单边带时间调制(single-sideband time-modulation,STM)的CMOS有源移相器.基于Global Foundries 0.13μm CMOS工艺,设计了双相调制单元用于I路和Q路的0°/180°移相,以抑制时间调制所产生的基频和偶次边带;设计了矢量合成与复用放大单元,在不增加功耗的前提下提高了整个电路增益;设计了偏置与时序控制单元,通过对I路和Q路增益的时序控制,实现了STM.仿真结果表明:本设计在1.8 V电源电压下的功耗为15.8 mW,在3-dB带宽(13.2～20.7 GHz)内的增益为?3±1.5 dB;在10～25 GHz频段内,实现了小于0.1°的移相偏差均方根(root mean square,RMS)和小于0.02 dB的增益偏差RMS,相位分辨率达10 bit以上;最大无用边带(?7次边带)的功率抑制比为16.7 dBc.该有源移相器具有低成本、低功耗、低相位偏差、低幅度偏差和低插入损耗等性能,为时间调制阵列提供了一种新颖的单元结构.
文献关键词：
相控阵;单边带时间调制(STM);CMOS;有源;移相器
中图分类号：
作者姓名：
程国枭;吴文;张金栋;陈峤羽
作者机构：
南京理工大学,南京 210094
文献出处：
引用格式：
[1]程国枭;吴文;张金栋;陈峤羽-.基于单边带时间调制的CMOS有源移相器设计)[J].电波科学学报,2022(06):962-968
A类：
有源移相器,Foundries,时间调制阵列
B类：
单边带,CMOS,相控阵,波束扫描,single,sideband,modulation,STM,Global,双相,基频,矢量合成,复用,大单元,偏置,时序控制,控制单元,电源电压,mW,GHz,频段,root,mean,square,RMS,bit,无用,功率抑制,dBc,低功耗,相位偏差,低插入损耗,单元结构
AB值：
0.274955
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