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Ar流量对ZnO薄膜光电性能的影响
文献摘要：
通过磁控溅射沉积系统在控制不同Ar流量的条件下,在FTO(氟掺SnO2)导电玻璃基底沉积一层致密的ZnO基底,通过旋涂法在致密层ZnO薄膜的基底上制备出多孔ZnO NPS薄膜,随后组装成电池进行测试.采用XRD、紫外―可见光分光光度计对所制备的致密层薄膜进行膜层质量分析,采用太阳光模拟器和数字原表对所制备的染料敏化太阳能电池进行光电转换效率的测试.结果表明,在固定溅射参数为125 W、4.1～4.0 Pa、60 min的条件下、Ar流量为10 sccm时制备的电池具有最高的光电转换效率,为1.20％.
文献关键词：
磁控溅射;Ar流量;染料敏化;光阳极;光电转换效率
中图分类号：
作者姓名：
曲汝丹;时方晓;宋泓霖;李思仪;王建阳
作者机构：
沈阳建筑大学,辽宁 沈阳 110000
文献出处：
引用格式：
[1]曲汝丹;时方晓;宋泓霖;李思仪;王建阳-.Ar流量对ZnO薄膜光电性能的影响)[J].广州化学,2022(02):40-44
A类：
B类：
Ar,ZnO,光电性能,磁控溅射,溅射沉积,FTO,SnO2,玻璃基,过旋,旋涂法,致密层,NPS,装成,可见光,分光光度计,膜层,质量分析,太阳光,模拟器,字原,染料敏化太阳能电池,光电转换效率,Pa,sccm,光阳极
AB值：
0.344842
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