典型文献
硅晶圆中注入10 MeV磷的连续激光退火激活
文献摘要：
基于硅(Si)中高能注入磷(P)的连续激光退火方法展开研究.采用的P离子最高注入能量为10 MeV,在Si中的注入深度可达7μm.分别采用532 nm和808nm波长的连续激光退火,照射时间分别为2 ms和2.7 ms.结果显示,虽然532 nm激光在Si中的穿透深度只有1.25μm,不到808 nm激光的1/10,但由于照射时间较长,热传导起到主要作用.因此,两种退火方案都可以实现整个注入深度的有效激活.532 nm连续激光退火实现了93％的激活效率,808 nm激光退火的激活效率接近100％.
文献关键词：
激光退火;10 MeV注入磷;表面形貌;杂质分布;温度分布
中图分类号：
作者姓名：
刘敏;郑柳;何志;王文武
作者机构：
中国科学院微电子研究所,北京 100029
文献出处：
引用格式：
[1]刘敏;郑柳;何志;王文武-.硅晶圆中注入10 MeV磷的连续激光退火激活)[J].激光与红外,2022(07):1000-1003
A类：
退火激活
B类：
硅晶圆,MeV,连续激光,激光退火,Si,注入能量,808nm,ms,穿透深度,热传导,有效激活,表面形貌,杂质分布,温度分布
AB值：
0.297373
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