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1064 nm连续激光辐照对硅基PIN探测器光生载流子影响的实验研究
文献摘要：
研究了连续激光对硅基PIN探测器中光生载流子的影响机理,建立1064 nm连续激光辐照硅基PIN探测器光生载流子的理论模型,搭建在线输出电流精确采集系统,研究了硅基PIN探测器在不同偏置电压、不同激光功率、不同作用时间条件下,其输出电流的变化规律.结果表明:硅基PIN探测器在外置偏压作用下,输出电流分为三个阶段:光生电流阶段、过渡阶段和恢复阶段.在光生电流阶段,输出电流随着外置偏压的增大而增大.在过渡阶段,输出电流随电压的增大而增大.随着激光注入量的停止,硅基PIN探测器进入恢复阶段及散热阶段,硅基PIN探测器特性开始缓慢恢复.
文献关键词：
1064 nm连续激光;硅基PIN探测器;光生载流子;实验研究
中图分类号：
作者姓名：
麻健雄;魏智;王頔;金光勇;梁超
作者机构：
长春理工大学 物理学院,长春 130022
文献出处：
引用格式：
[1]麻健雄;魏智;王頔;金光勇;梁超-.1064 nm连续激光辐照对硅基PIN探测器光生载流子影响的实验研究)[J].长春理工大学学报（自然科学版）,2022(04):19-24
A类：
B类：
连续激光,激光辐照,硅基,PIN,探测器,光生载流子,建在,输出电流,采集系统,偏置电压,激光功率,作用时间,时间条件,外置,偏压,过渡阶段,光注入,注入量,散热
AB值：
0.212046
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