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抑制CMOS输出端口反向漏电设计
文献摘要：
提出了抑制CMOS输出端口反向漏电的结构,当电源端接地或者悬空,CMOS输出端口接高电平时,通过优化控制逻辑,由输出端口为电路提供电源电压,从而抑制了输出端口对电源端口的漏电.以华润微电子0.25 μm5 V工艺实现电路版图并流片,典型漏电为0.01 μA.
文献关键词：
反向漏电抑制;CMOS输出端口;电源不上电
中图分类号：
作者姓名：
叶宗祥;史良俊
作者机构：
中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京 210096;无锡力芯微电子股份有限公司,江苏无锡 214028
文献出处：
引用格式：
[1]叶宗祥;史良俊-.抑制CMOS输出端口反向漏电设计)[J].电子与封装,2022(10):36-41
A类：
反向漏电抑制,电源不上电
B类：
CMOS,输出端,端接,悬空,高电平,优化控制,控制逻辑,电源电压,电源端口,华润,微电子,m5,版图,流片
AB值：
0.342562
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