典型文献
计及热阻与发射极电感匹配的并联IGBT芯片稳态结温均衡方法
文献摘要：
在大量芯片并联的IGBT器件内部,热阻和发射极寄生电感是决定芯片稳态结温分布的关键参数.因此,合理设计芯片并联支路的热阻和发射极寄生电感,对均衡并联芯片的稳态结温非常重要.为此,该文首先建立两IGBT并联芯片的电热模型,研究并联IGBT芯片动态损耗与结温、发射极寄生电感之间的规律.并通过瞬态电热耦合计算,研究热阻和发射极寄生电感对并联芯片结温分布的影响.在此基础上,提出计及热阻与发射极电感匹配的并联IGBT芯片稳态结温均衡方法,可通过联立方程得到热阻或发射极寄生电感的参考值,从而避免复杂的电热瞬态计算.最后以两IGBT并联芯片为例,给出不同工作频率下并联芯片的稳态结温,表明了该文所提稳态结温均衡方法的有效性.
文献关键词：
并联IGBT芯片;热阻;发射极寄生电感;稳态结温均衡方法
中图分类号：
作者姓名：
范迦羽;郑飞麟;王耀华;李学宝;崔翔
作者机构：
新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) 北京 102206;先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司) 北京 102209
文献出处：
引用格式：
[1]范迦羽;郑飞麟;王耀华;李学宝;崔翔-.计及热阻与发射极电感匹配的并联IGBT芯片稳态结温均衡方法)[J].电工技术学报,2022(12):3028-3037
A类：
稳态结温均衡方法,发射极寄生电感
B类：
热阻,IGBT,合理设计,支路,电热模型,电热耦合,耦合计算,芯片结温,联立方程,参考值,免复,瞬态计算,工作频率
AB值：
0.125173
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