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大容量全控型压接式IGBT和IGCT器件对比分析:原理、结构、特性和应用
文献摘要：
全控型压接式器件是大容量电力电子装备实现功率转换的核心,主要包括以集成门极换流晶闸管(integrated gate commutated thyristor,IGCT)为代表的晶闸管类器件和以绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)、注入增强栅极晶体管(injection enhanced gate transistor,IEGT)为代表的晶体管类器件.文中首先介绍并比较IGCT与IGBT(含IEGT)的芯片结构及制作工艺,然后分析对比IGCT与IGBT(含IEGT)的工作原理及封装形式.接着从工作频率、关断能力、动态耐受、器件容量、工作损耗、驱动功率、管壳防爆特性、失效短路特性、器件可靠性等9个角度出发,系统性分析不同全控型压接式器件的工作特性,最后对其应用现状及前景进行概述及展望.
文献关键词：
压接式器件;绝缘栅型双极晶体管;注入增强栅极晶体管;集成门极换流晶闸管;直流电网;大容量电力电子
中图分类号：
作者姓名：
周文鹏;曾嵘;赵彪;陈政宇;刘佳鹏;白睿航;吴锦鹏;余占清
作者机构：
清华大学电机工程与应用电子技术系,北京市 海淀区 100084
文献出处：
引用格式：
[1]周文鹏;曾嵘;赵彪;陈政宇;刘佳鹏;白睿航;吴锦鹏;余占清-.大容量全控型压接式IGBT和IGCT器件对比分析:原理、结构、特性和应用)[J].中国电机工程学报,2022(08):2940-2956,中插13
A类：
压接式器件,大容量电力电子,集成门极换流晶闸管,绝缘栅型双极晶体管,注入增强栅极晶体管
B类：
IGBT,IGCT,电子装备,integrated,gate,commutated,thyristor,insulated,bipolar,transistor,injection,enhanced,IEGT,制作工艺,分析对比,封装,工作频率,关断,驱动功率,管壳,防爆,短路特性,系统性分析,工作特性,述及,直流电网
AB值：
0.233316
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