典型文献
基于MZI光开关上应力相移器的制备与性能研究
文献摘要：
针对主流热光开关、静电光开关等功耗大、响应速率较慢等问题,设计出了一种以锆钛酸铅(PZT)薄膜为核心的以应力相移器驱动的MZI光开关.采用了溶胶凝胶法,在氮化硅光子芯片上制备PZT薄膜,完成应力相移器加工.为了避免PZT薄膜在高温结晶过程中所产生的应力导致MZI光开关出入光口龟裂,利用剥离-腐蚀工艺构建钛金属保护层,成功保证了MZI光开关出入光口的完整性.PZT薄膜作为应力相移器中的驱动结构,对PZT薄膜进行漏电流测试和铁电性能测试,实验证明PZT薄膜的加载电压达到25 V时还未击穿,这说明PZT薄膜具有优良的绝缘性;电滞回线较为饱和,说明PZT薄膜具备良好的铁电性.可以在光子芯片上制备出的PZT薄膜具有良好压电及铁电性能,且能够满足光子芯片需求.
文献关键词：
应力相移器;PZT薄膜;金属保护层
中图分类号：
作者姓名：
杨帆;崔岩;王子祥;于昊;梁宇鑫
作者机构：
大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁大连 116024;重庆联合微电子中心有限责任公司,重庆 400030
文献出处：
引用格式：
[1]杨帆;崔岩;王子祥;于昊;梁宇鑫-.基于MZI光开关上应力相移器的制备与性能研究)[J].机电工程技术,2022(12):69-72
A类：
应力相移器,金属保护层
B类：
MZI,关上,制备与性能,电光开关,功耗,响应速率,较慢,锆钛酸铅,PZT,溶胶凝胶法,氮化硅,硅光子,光子芯片,结晶过程,关出,出入,光口,龟裂,腐蚀工艺,钛金属,漏电流,电流测试,铁电性能,电性能测试,击穿,绝缘性,电滞回线,压电
AB值：
0.255505
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