典型文献
GaAs光导开关电极制备工艺及性能测试
文献摘要：
为了解决目前GaAs光导开关成品率低、稳定性差和可靠性低等问题,提出了GaAs光导开关的关键电极制备工艺解决方案.该方案首先以半绝缘GaAs材料作为衬底,利用电子束蒸镀机在GaAs衬底上沉积Ni/Ge/Au/Ni/Au金属复合层作为光导开关电极,并对电极进行快速退火使其与GaAs衬底形成欧姆接触;然后,为了隔绝光导开关与外界环境,在GaAs衬底上沉积氮化硅作为钝化保护层;最后,通过在欧姆接触电极上外延场板的工艺,制备出电极间距为4 mm的异面GaA s光导开关.对所制备的GaA s光导开关的测试结果表明:在400℃退火条件下,电极的接触电阻率最低可达到0.0195Ω·cm2;采用50Ω 单脉冲形成线,在工作频率为1 kHz、偏置电压为22 kV时,光导开关的输出电压脉冲为10 kV,脉冲上升时间为亚ns量级.采用该制备方法制备的GaA s光导开关的成品率高达约98％,可稳定工作上万次.
文献关键词：
GaAs光导开关;电极制备;欧姆接触;性能测试;可靠性
中图分类号：
作者姓名：
党鑫;杨向红;孙岳;刘康;朱莉;胡龙;李昕;刘卫华;王小力
作者机构：
西安交通大学电子与信息学部, 710049 ,西安
文献出处：
引用格式：
[1]党鑫;杨向红;孙岳;刘康;朱莉;胡龙;李昕;刘卫华;王小力-.GaAs光导开关电极制备工艺及性能测试)[J].西安交通大学学报,2022(02):184-190
A类：
GaA
B类：
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AB值：
0.30503
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