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基于GaN HEMT的S波段小型化内匹配功率管设计
文献摘要：
采用总栅宽36 mm的0.5 um工艺GaN HEMT功率管芯,通过合理选择目标阻抗、优化匹配网络,设计了一款包含扼流电路的S波段小型化内匹配功率管.在+48 V、-3.1 V工作电压下,2.7～3.4 GHz内,功率管输出功率≥250 W,功率增益≥12 dB,功率附加效率≥60％,尺寸仅为15 mm×6.6 mm×1.5 mm,重量仅为0.6 g,显示出卓越的性能,具有广泛的工程应用前景.
文献关键词：
功率管;GaN;内匹配;S波段;小型化
中图分类号：
作者姓名：
王晓龙;张磊
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄 050000
文献出处：
引用格式：
[1]王晓龙;张磊-.基于GaN HEMT的S波段小型化内匹配功率管设计)[J].现代信息科技,2022(02):52-55
A类：
目标阻抗
B类：
GaN,HEMT,波段,小型化,内匹配,功率管,um,管芯,优化匹配,匹配网络,+48,工作电压,GHz,输出功率,dB,功率附加效率
AB值：
0.382873
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