典型文献
一种新型异质三栅隧穿场效应晶体管的设计
文献摘要：
隧穿场效应晶体管因其带带隧穿的工作机制、低的亚阈值摆幅、低的泄漏电流而成为当前主要器件领域研究的一个热点,但其开态电流低.因此,提出一种新型异质三栅隧穿场效应晶体管,器件的低栅和靠近源区的顶栅的功函数为4.15 eV,靠近漏区的顶栅的功函数为5.25 eV.器件的源区采用窄能隙材料砷化铟以提升器件在源-沟结的隧穿率,从而提升器件的开态电流以及器件的跨导特性.同时,器件的漏-源电容比较小,提升器件的增益带宽乘积、截止频率、跨导频率乘积等射频特性.研究表明,该器件可以应用到未来的低功耗及射频领域.
文献关键词：
隧穿场效应晶体管;异质结;开态电流;射频特性
中图分类号：
作者姓名：
许会芳
作者机构：
安徽科技学院 电气与电子工程学院,安徽 蚌埠 233100
文献出处：
引用格式：
[1]许会芳-.一种新型异质三栅隧穿场效应晶体管的设计)[J].德州学院学报,2022(02):20-23
A类：
B类：
隧穿场效应晶体管,带带隧穿,亚阈值摆幅,泄漏电流,开态电流,源区,功函数,eV,能隙,砷化铟,提升器,隧穿率,乘积,截止频率,导频,射频特性,低功耗,异质结
AB值：
0.308075
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