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线粒体相关内质网膜参与调控脑缺血再灌注损伤的研究进展
文献摘要：
缺血性脑卒中是临床上比较多见的脑血管疾病,根据流行病学调查研究的数据显示,2019年我国缺血性脑卒中发病率为1700/10万[1],占全部脑血管疾病的85％以上,针对缺血性脑卒中,应力争尽早对缺血的脑组织实施再灌注治疗,挽救缺血半暗带是临床上首要治疗原则,但血流和氧气的恢复会加重大脑损伤,甚至造成不可逆的损害,这种现象被称为脑缺血再灌注损伤(cerebral ischemia-reperfusion injury,CI-RI)[2],CIRI的机制复杂,主要有线粒体能量代谢障碍、钙离子超载、氧化应激、细胞凋亡、炎症反应、兴奋性氨基酸毒性、血脑屏障破坏、NO合成过多、细胞焦亡等[3],线粒体相关内质网膜(mitochondria-associated endoplasmic reticulum mem-brane,MAM)是线粒体与内质网(ER)紧密连接但未融合的动态结构,许多研究发现MAM在许多细胞过程中发挥重要作用,如调控Ca2+稳态、线粒体动力学、氧化应激、炎症反应、脂质代谢、细胞凋亡、自噬等[4],近年研究发现,MAM参与的细胞事件和脑缺血再灌注后发生大脑损伤的病理生理机制高度重合,因此,了解MAM参与调控脑缺血再灌注损伤的病理生理机制可能成为治疗和预防CIRI提供新的方向.本文结合国内外文献就MAM参与调控脑缺血再灌注损伤的研究进展作一综述.
文献关键词：
脑缺血再灌注损伤;线粒体相关内质网膜;药物靶点
中图分类号：
作者姓名：
钱军;王艳云;叶群英
作者机构：
遵义医科大学附属医院神经内科,贵州 遵义 563000;遵义医科大学第五附属(珠海)医院神经内科,广东 珠海519000
文献出处：
引用格式：
[1]钱军;王艳云;叶群英-.线粒体相关内质网膜参与调控脑缺血再灌注损伤的研究进展)[J].中风与神经疾病杂志,2022(06):549-551
A类：
B类：
线粒体相关内质网膜,脑缺血再灌注损伤,缺血性脑卒中,脑血管疾病,流行病学调查,脑组织,组织实施,再灌注治疗,挽救,缺血半暗带,上首,治疗原则,复会,脑损伤,cerebral,ischemia,reperfusion,injury,CIRI,有线,线粒体能量代谢,代谢障碍,钙离子超载,兴奋性氨基酸,血脑屏障,细胞焦亡,mitochondria,associated,endoplasmic,reticulum,mem,brane,MAM,ER,紧密连接,动态结构,多细胞,Ca2+,线粒体动力学,脂质代谢,自噬,细胞事件,病理生理机制,药物靶点
AB值：
0.251898
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