典型文献
基于STT-MRAM的高可靠性、多位并行读出存内计算方案
文献摘要：
存内计算技术是解决传统冯·诺伊曼计算架构面临瓶颈的最有效的技术路径之一.基于自旋转移矩-磁随机存储器(STT-MRAM)的存内计算方案尽管具有非易失性、低功耗、高耐久性等优势,但却因其较小的感测裕度对灵敏放大器(SA)设计的读可靠性提出了挑战.尽管基于两个晶体管和两个磁隧道结(2T2MTJ)单元的存内计算方案能有效提升读感测裕度与位运算正确率,存储阵列的面积却成倍增加.本文针对1T1MTJ单元,提出一种高可靠性、多位并行读出存内计算方案,采用了三组参考单元支路结构,结合改进型多位电流型灵敏放大器(MBCSA)进行支路电流运算.结合MTJ紧凑模型与SMIC 40nm工艺的仿真结果表明,在典型条件下,该方案的读操作正确率比采用预充电电流型灵敏放大器(PCSA)的1T1MTJ方案和2T2MTJ方案分别提升了 4.07％和1.65％;在小磁阻比、低电源电压条件下也展现了更高的读操作正确率与良好的鲁棒性.此外,该方案可在6 ns周期内同时对两组存储单元进行"AND"、"OR"逻辑运算,实现了四种位逻辑运算结果的多位并行读出.
文献关键词：
磁随机存储器;存内计算;高可靠性;多位并行读出
中图分类号：
作者姓名：
袁磊;陈俊杰;卓鹏福;王少昊
作者机构：
福州大学晋江微电子研究院,福建晋江362200
文献出处：
引用格式：
[1]袁磊;陈俊杰;卓鹏福;王少昊-.基于STT-MRAM的高可靠性、多位并行读出存内计算方案)[J].微电子学与计算机,2022(08):119-126
A类：
多位并行读出,2T2MTJ,1T1MTJ,MBCSA
B类：
STT,MRAM,高可靠性,存内计算,计算方案,计算技术,诺伊曼,计算架构,面临瓶颈,技术路径,自旋,磁随机存储器,非易失性,低功耗,高耐久性,裕度,灵敏放大器,晶体管,隧道结,升读,位运算,存储阵列,成倍增加,支路,改进型,电流型,紧凑,SMIC,40nm,操作正确率,预充电,充电电流,PCSA,磁阻,低电源电压,压条,ns,存储单元,AND,逻辑运算
AB值：
0.334988
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