典型文献
氮化镓功率器件塑封工艺技术研究
文献摘要：
随着科技的发展,集成电路封装的形式和材料面临着巨大挑战.氮化镓(GaN)作为最具潜力的第三代半导体材料,在射频通信领域的应用前景广阔.传统的金属或陶瓷GaN封装制造成本高、工艺复杂、品质控制难,开发环氧树脂封装的GaN射频器件,使之具备高散热性和高可靠性,实现进口产品的同类替代,是当前我国集成电路封测产业的一项重要任务.以一款GaN功率器件双边扁平无引脚封装(Dual Flat No-lead,DFN)为例,介绍GaN器件的封装结构设计、塑封材料选择、封装工艺优化以及封测中常见的问题分析与解决等内容.
文献关键词：
氮化镓;塑封工艺;集成电路
中图分类号：
作者姓名：
熊丽萍;饶锡林;冯学贵
作者机构：
东莞职业技术学院,东莞523808;广东气派科技有限公司,东莞523330
文献出处：
引用格式：
[1]熊丽萍;饶锡林;冯学贵-.氮化镓功率器件塑封工艺技术研究)[J].现代制造技术与装备,2022(05):134-137
A类：
B类：
氮化镓功率器件,塑封工艺,工艺技术,集成电路封装,料面,GaN,第三代半导体,半导体材料,射频通信,通信领域,制造成本,品质控制,环氧树脂,射频器件,高散热,高可靠性,进口产品,测产,扁平,引脚,Dual,Flat,No,lead,DFN,封装结构,材料选择,封装工艺,分析与解决
AB值：
0.411542
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