典型文献
太赫兹波导封装技术的研究与应用
文献摘要：
对太赫兹波导封装技术进行研究,并在D波段(110～170 GHz)和220 GHz频段分别进行设计验证.通过金丝键合技术对研制的D波段放大器芯片进行波导封装设计,封装测试结果为:封装模块在139 GHz测试得到最大增益为10.8 dB,在137～144 GHz频率范围内,增益大于7.8 dB,输入端回波损耗优于5 dB,输出端回波损耗优于8.5 dB.封装与在片测试结果曲线变化趋势基本一致,但是封装后芯片性能恶化严重,封装损耗大于5 dB.基于此,开展太赫兹波导-集成探针过渡结构研究,提出一种适用于太赫兹频段的波导-集成探针过渡结构,并在220 GHz频段进行设计验证.模块测试结果为:在208～233 GHz频带范围内,插入损耗优于3 dB,回波损耗优于8 dB,在224 GHz频点处,获得该结构的最优性能,其插入损耗为1.3 dB,回波损耗为46.4 dB.该波导-集成探针过渡结构为太赫兹频段全集成芯片研制提供了经验.
文献关键词：
太赫兹;波导封装;放大器;金丝键合;波导-集成探针过渡
中图分类号：
作者姓名：
刘军;于伟华;吕昕
作者机构：
中国电子科技集团公司第五十四研究所北京研发中心,北京100070;北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室,北京100081
文献出处：
引用格式：
[1]刘军;于伟华;吕昕-.太赫兹波导封装技术的研究与应用)[J].电子学报,2022(08):1859-1865
A类：
波导封装
B类：
太赫兹波,封装技术,波段,GHz,设计验证,金丝键合,放大器,行波,装设,封装测试,试得,dB,回波损耗,输出端,在片测试,曲线变化,过渡结构,结构研究,太赫兹频段,频带,插入损耗,频点,得该,最优性能,全集成,集成芯片
AB值：
0.237372
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
