典型文献
基于表面扫描法的SiP器件近场电磁辐射测试方法
文献摘要：
在近场电磁辐射测试研究中,还没有一套完整的面向单个元器件的测试方法.针对此问题,基于表面扫描法对SiP器件的近场电磁辐射测试方法进行研究.第一,利用X光研究SiP器件内部结构并进行干扰源分析;第二,完成硬件、软件层搭建使器件进入工作状态;第三,搭建近场测试系统,对工作中的器件实施近场测试.在案例研究中,所用SiP器件内部封装外围器件和作为主要干扰源的处理器.近场测试结果显示,PCB上辐射主要集中在SiP器件周围,器件近场辐射集中在处理器芯片处.案例研究的结果说明这种测试方法可以有效测量SiP器件的近场电磁辐射,并对器件内干扰源进行分析.
文献关键词：
系统级封装;电磁辐射;表面扫描法;近场扫描测试
中图分类号：
作者姓名：
高成;李维;梅亮;林辰正;黄姣英
作者机构：
北京航空航天大学 可靠性与系统工程学院,北京100191;航天科工防御技术研究试验中心,北京100854
文献出处：
引用格式：
[1]高成;李维;梅亮;林辰正;黄姣英-.基于表面扫描法的SiP器件近场电磁辐射测试方法)[J].电子技术应用,2022(07):54-59
A类：
表面扫描法,近场扫描测试
B类：
SiP,电磁辐射,测试研究,元器件,干扰源,工作状态,近场测试,测试系统,在案,处理器,PCB,近场辐射,系统级封装
AB值：
0.172282
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