典型文献
一种复合终端逆阻IGBT数值仿真分析
文献摘要：
绝缘栅双极型晶体管(insulated?gate?bipolar?transistor,IGBT)本身不具有反向阻断能力,因此在电路中通常与二极管组合使用.为降低使用成本,减小寄生电感,续流二极管与IGBT通过工艺集成在同一芯片上,由此提出了具有反向阻断能力的逆阻型IGBT.针对常规逆阻IGBT终端面积大的问题,提出了一种改进型复合终端结构,采用双掺杂场限环,在P型场限环旁边引入N型轻掺杂区.改进结构减小了耗尽区横向扩展速率,增强器件可靠性,节省终端面积占用并提高了终端效率.
文献关键词：
绝缘栅双极型晶体管;逆阻;场限环;复合终端;双掺杂场限环
中图分类号：
作者姓名：
崔磊;杨通;张如亮;马丽;李旖晨
作者机构：
国网智能电网研究院有限公司,北京 102209;西安理工大学 电子工程系,陕西 西安 710048;西安理工大学 应用物理系,陕西 西安 710048
文献出处：
引用格式：
[1]崔磊;杨通;张如亮;马丽;李旖晨-.一种复合终端逆阻IGBT数值仿真分析)[J].中国电力,2022(09):98-104
A类：
复合终端,逆阻,双掺杂场限环,场限环
B类：
IGBT,数值仿真分析,绝缘栅双极型晶体管,insulated,gate,bipolar,transistor,寄生电感,续流二极管,工艺集成,端面,改进型,终端结构,旁边,耗尽,横向扩展,扩展速率,增强器
AB值：
0.244185
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
