典型文献
基于Levenberg-Marquardt算法的碳化硅MOSFET建模研究
文献摘要：
为了更快速准确地对碳化硅MOSFET功率器件进行开关行为预测与分析,需要建立其静态和动态行为模型.静态模型包括不同温度下的转移特性曲线和输出特性曲线,以及寄生非线性电容曲线等.提出了一种基于EKV公式改进的曲线拟合公式和一种新的非线性电容拟合公式,利用Levenberg-Marquardt算法进行参数拟合,建模速度快,模型误差小.动态模型在考虑封装寄生电感和寄生非线性电容等非理想条件下,分别建立器件导通和关断过程每一个阶段的栅源极电压、漏源极电压、肖特基二极管电压、栅极电流和漏极电流的电路微分方程组,再以每一个阶段结束时的状态变量作为下一个阶段的初始条件.采用4阶龙格库塔法求解上述微分方程组的数值解,并与LTspice仿真波形进行对比分析.结果表明,上述建模方法能较好地描述器件的动态行为特性.
文献关键词：
碳化硅MOSFET;静态特性建模;动态行为模型;寄生非线性电容;Levenberg-Marquardt算法
中图分类号：
作者姓名：
赵奕昕;刘守城;颜伟;祝志博;居铭
作者机构：
南京师范大学南瑞电气与自动化学院,江苏 南京210023;南京师范大学江苏省电气装备与电磁兼容工程实验室,江苏 南京210023
文献出处：
引用格式：
[1]赵奕昕;刘守城;颜伟;祝志博;居铭-.基于Levenberg-Marquardt算法的碳化硅MOSFET建模研究)[J].南京师范大学学报（工程技术版）,2022(03):30-37
A类：
动态行为模型,寄生非线性电容,EKV,静态特性建模
B类：
Levenberg,Marquardt,碳化硅,MOSFET,建模研究,快速准确,功率器件,行为预测,静态模型,转移特性曲线,输出特性,曲线拟合,拟合公式,参数拟合,模型误差,动态模型,封装,寄生电感,非理想条件,导通,关断过程,肖特基二极管,管电压,栅极电流,微分方程组,再以,状态变量,初始条件,龙格库塔法,数值解,LTspice,行为特性
AB值：
0.321361
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