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对反铁磁半导体MoCl2单层的理论预测
文献摘要：
我们通过第一性原理计算研究了MoCl2单分子层的几何形状、稳定性、电子和磁性特性,报告了它是一种稳定的反铁磁半导体.通过自旋极化态密度和能带结构计算,验证了MoCl2单层是反铁磁半导体.声子色散和弹性模量计算表明,MoCl2单分子层是动力学稳定和机械稳定的.此外,单层MoCl2的带隙、单个Mo原子的磁矩可以通过施加双轴应变有效地调节,但是材料的反铁磁性半导体性质在应力下是稳定的,表明MoCl2单层是自旋电子应用的潜在候选材料.
文献关键词：
MoCl2单层;反铁磁半导体;应力
中图分类号：
作者姓名：
唐卉
作者机构：
西南大学物理科学与技术学院,重庆 400715
文献出处：
引用格式：
[1]唐卉-.对反铁磁半导体MoCl2单层的理论预测)[J].科学技术创新,2022(02):21-24
A类：
反铁磁半导体,MoCl2,铁磁性半导体
B类：
理论预测,第一性原理计算,单分子层,几何形状,自旋极化,态密度,能带结构,结构计算,声子,色散,弹性模量,带隙,磁矩,双轴应变,反铁磁性,电子应用,选材
AB值：
0.214362
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