典型文献
基于GaAs pHEMT 2.5～4.3 GHz驱动功率放大器芯片设计
文献摘要：
为了实现低噪声、高线性度、中功率的指标特性,设计了一款基于GaAs pHEMT工艺的2.5～4.3 GHz驱动功率放大器(power amplifier,PA),该PA设计采用共源共栅级驱动共源极放大器的双级放大结构,其中共源共栅级驱动放大器可实现良好的隔离度,采用负反馈技术实现输入阻抗匹配和级间阻抗匹配,选取共源极放大器实现高线性度指标.经过流片加工后,实测结果显示,该PA在2.5～4.3 GHz频段可实现25.5±1 dB小信号增益,可以满足5G无线通信系统中Sub-6G频段的典型驱动功率放大器的指标要求,具有广泛的市场应用前景.
文献关键词：
GaAs pHEMT;MMIC PA;共源共栅;负反馈;高增益
中图分类号：
作者姓名：
林倩;胡单辉;邬海峰;陈思维
作者机构：
青海民族大学 物理与电子信息工程学院,西宁810007;成都嘉纳海威科技有限责任公司,成都610073
文献出处：
引用格式：
[1]林倩;胡单辉;邬海峰;陈思维-.基于GaAs pHEMT 2.5～4.3 GHz驱动功率放大器芯片设计)[J].重庆邮电大学学报（自然科学版）,2022(01):73-77
A类：
驱动功率放大器
B类：
GaAs,pHEMT,GHz,芯片设计,低噪声,高线性度,指标特性,power,amplifier,PA,共源共栅,双级,隔离度,负反馈,输入阻抗,阻抗匹配,过流,流片,工后,实测结果,频段,dB,小信号,信号增益,无线通信系统,Sub,6G,指标要求,市场应用,MMIC,高增益
AB值：
0.343533
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