典型文献
微氧化烧结制备掺杂Y2O3的SiC陶瓷及含镉模拟废水处理
文献摘要:
采用了微氧化烧结制备了不同Y2O3质量分数(0%、2%、4%、6%)的多孔SiC陶瓷,通过对陶瓷的晶体结构、微观形貌、物理性能和Cd2+的去除率测试发现:添加了 Y2O3的SiC陶瓷出现了较多的第二相Y2SiO7、Y5Si3C0.5,随着Y2O3的质量分数增加逐渐升高,主相的衍射峰的强度有降低.扫描电子显微镜测试发现,SiC陶瓷的尺寸在2.5 μm,Y2O3引入后,SiC陶瓷的晶粒尺寸降低,高温烧结时液相的含量增加,熔体粘度降低,晶粒结合更加紧密,Y2O3的引入提高了多孔陶瓷的体积密度,Y2O3质量分数为6%SiC的体积密度最大为2.21 g/cm3.热导率随着Y2O3质量分数的增加呈现出先升高后降低的趋势.金属Cd2+的过滤测试表明:随着Y2O3质量分数增加,Cd2+的残留质量浓度、膜通量和去除率先降低后升高,当掺杂质量分数为4%时,Cd2+残留质量浓度最低为0.042 mg/L,膜通量达到了最大值572 L/(m2·h),去除率最大为99.95%,相比未掺质量分数杂体系的去除率提高了0.14%.随着溶液pH值的逐渐增大,金属Cd2+的残留质量浓度逐渐降低、去除率逐渐升高,pH≥9时最终均趋于稳定.综合来看,多孔SiC陶瓷的助烧剂Y2O3最佳掺量为4%.
文献关键词:
碳化硅;微氧化烧结;陶瓷;助烧剂;Y2O3;pH值;废水处理
中图分类号:
作者姓名:
王兵;唐敏;王颖;刘志光
作者机构:
河南省安阳生态环境监测中心,安阳455000
文献出处:
引用格式:
[1]王兵;唐敏;王颖;刘志光-.微氧化烧结制备掺杂Y2O3的SiC陶瓷及含镉模拟废水处理)[J].应用化学,2022(08):1312-1318
A类:
微氧化烧结,Y2SiO7,Y5Si3C0
B类:
Y2O3,SiC,模拟废水,废水处理,晶体结构,微观形貌,物理性能,Cd2+,去除率,第二相,晶粒尺寸,高温烧结,熔体,粘度,加紧,多孔陶瓷,体积密度,cm3,热导率,测试表明,膜通量,先降,助烧剂,最佳掺量,碳化硅
AB值:
0.212463
相似文献
机标中图分类号,由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成,仅供学习研究参考。