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氮掺杂导电碳化硅陶瓷研究进展
文献摘要：
可电火花加工的导电碳化硅(SiC)陶瓷不仅可以克服传统高电阻率SiC陶瓷难加工的突出缺点,而且能够保留传统高电阻率SiC陶瓷的其他优异性能,在结构陶瓷领域取代传统的高电阻率SiC陶瓷具有突出优势.本文阐述了粉末烧结制备氮掺杂导电SiC陶瓷的原理,归纳总结分析了其粉末烧结制备方法、烧结助剂的种类及其所获得SiC陶瓷的热电和力学性能.同时,探讨了SiC陶瓷的电性能影响因素,为调控SiC陶瓷的电性能提供了参考依据.最后,指出了氮掺杂导电SiC陶瓷面临的主要挑战,在未来研究中,应聚焦于发展新烧结技术与烧结添加剂体系以及澄清电性能调控机制,为制备电阻率可控的高性能导电SiC陶瓷奠定技术基础.
文献关键词：
碳化硅;导电陶瓷;氮掺杂;电性能;力学性能
中图分类号：
作者姓名：
杨建国;沈伟健;李华鑫;贺艳明;闾川阳;郑文健;马英鹤;魏连峰
作者机构：
浙江工业大学 化工机械设计研究所,杭州 310023;过程装备及其再制造教育部工程研究中心,杭州 310023;浙江工业大学 机械工程学院,杭州 310023;中国核动力研究设计院,成都 610213
文献出处：
引用格式：
[1]杨建国;沈伟健;李华鑫;贺艳明;闾川阳;郑文健;马英鹤;魏连峰-.氮掺杂导电碳化硅陶瓷研究进展)[J].材料工程,2022(09):18-31
A类：
B类：
氮掺杂,电碳,碳化硅陶瓷,电火花加工,SiC,电阻率,出缺,留传,优异性能,结构陶瓷,瓷具,突出优势,粉末烧结,制备方法,烧结助剂,热电,电性能,性能影响因素,瓷面,主要挑战,烧结技术,澄清,性能调控,调控机制,备电,技术基础,导电陶瓷
AB值：
0.317986
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